pecvd鍍膜加熱系統(tǒng)工作原理

 

基本原理是:

 

PECVD技術(shù)是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤(pán)）產(chǎn)生輝光放電，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。

 

光伏鍍膜工作原理

 

一，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，相互間的碰撞會(huì)導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離，物質(zhì)就會(huì)變成自由運(yùn)動(dòng)并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。

 

?二，據(jù)測(cè)算，光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右，減反膜可以極高地提高電池片對(duì)太陽(yáng)光的利用率，有助于提高光生電流密度，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)薄膜中的氫對(duì)于電池片表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小了暗電流，提升了開(kāi)路電壓，提高了光電轉(zhuǎn)換效率；在燒穿工藝中的高溫瞬時(shí)退火斷裂了一些Si-H、N-H鍵，游離出來(lái)的H進(jìn)一步加強(qiáng)了對(duì)電池的鈍化。由于光伏級(jí)硅材料中不可避免的含有大量的雜質(zhì)和缺陷，導(dǎo)致硅中少子壽命及擴(kuò)散長(zhǎng)度降低，從而導(dǎo)致電池的轉(zhuǎn)換效率下降，H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)，從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。

 

三、PECVD原理

 

PECVD 系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用于存儲(chǔ)在硅片上的氮化硅?？梢愿鶕?jù)改變硅烷對(duì)氨氣的比率，來(lái)得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。

 

在真空、480攝氏度的環(huán)境溫度下，通過(guò)對(duì)石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層SixNy。3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2